Tag: Feldeffekt-Transistor

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Ein Speicher verändert die Welt

Geschrieben am 28.08.2026 von

Der Tag ist unbekannt, aber vor sechzig Jahren kam Robert Dennard auf das Konzept des dynamischen Arbeitsspeichers mit Transistoren, kurz DRAM. Erst im Juli 1967 meldete er das „Field-effect transistor memory“ in den USA zum Patent an, das im Juni 1968 gewährt wurde. So löste der IBM-Ingenieur ein Problem, das die Computerbauer seit langem quälte….

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Die Geburt des Transistors

Geschrieben am 22.12.2017 von

Transistoren sind überall. Der elektronische Baustein verstärkt Strom und sitzt in den Mikroprozessoren, die Smartphones und Computer antreiben. Er macht unsere digitale Welt erst möglich. Seine Erfinder waren die Physiker William Shockley, Walter Brattain und John Bardeen. Sie arbeiteten in den amerikanischen Bell-Laboratorien. Vor 75 Jahren fand dort die erste hausinterne Vorführung eines Transistors statt….

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